ANALYSEUR DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS

Fiche technique

température de travail

10°C ~ 40°C (50F ~ 104F)

dimensions

103 x 70 x 20 mm (4.1" x 2.8" x 0.8")

type

MN21 / L1028 / GP23A 12 V alkaline

plage de tension

7.50 V - 12 V

courant crête de court-circuit coupé

-5.5 mA jusqu'à 5.5 mA

tension crête de court-circuit permanent

-5.1 V jusqu'à 5.1 V

plage de gain (HFE)

4 - 65 000

précision de gain

± 3% ± 5 Hfe

tension maximale de collecteur-à-émetteur (VCEO)

2.0 V - 3.0 V

précision de tension base-émetteur VBE

-2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV

tension base-émetteur VBE pour transistor Darlington (shunted)

0.95 V - 1.80 V (0.75 V - 1.80 V)

seuil de résistance shunt base-émetteur

50 k&Omega

courant de collecteur BJT

2.45 mA - 2.55 mA

courant de fuite acceptable BJT

0.7 mA

• plage de tension de grille-source

0.1 V - 5.0 V

• précision de seuil

-2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV

• courant drain

2.45 mA - 255 mA

• résistance de grille

8 k&Omega

courant du drain d'appauvrissement

4.5 mA

courants drain-source JFET

0.5 mA - 5.5 mA

courant de grille

4.5 mA

courant de maintien

5.0 mA

courant de test

5.0 mA

précision de tension

-2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV

tension directe pour identification LED

1.50 V - 4.00 V

seuil de court-circuit

10 &Omega

seuil d'alarme

8.25 V

Weight per product (nett)

0.098kg (3.5oz)